提供應用於無線微波通訊(Wireless RF)、電力電子(Power Electronics)、手機及基地台的功率放大器(Power Amplifier, PA)、電信數據通訊(tele-communication & data-communication)、光纖通訊(Optical-Fiber communications)、光儲存(Optical Storage)、手勢辨識(Gesture Recognition)等領域之化合物半導體磊晶片。
所用之基板材料涵蓋砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等。
產品範圍包含異質雙極性接電電晶體(HBT)、高電子遷移率電晶體(HEMT、pHEMT、mHEMT)、Fabry-Perot Laser、分布式反饋雷射(DFB Laser)、垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)、光偵測元件(Detectors)、PIN檢光二極體(PIN Diodes)、雪崩光電二極體(APD)、多層介面聚光型太陽能電池(Multi-Junction CPV)、量子井紅外光偵測器(QWIP)等。
尺寸:2",3" ,4",6",8"