• 晶圓

  • 化合物半導體磊晶片

    品牌: IQE

    提供應用於無線微波通訊(Wireless RF)、電力電子(Power Electronics)、手機及基地台的功率放大器(Power Amplifier, PA)、電信數據通訊(tele-communication & data-communication)、光纖通訊(Optical-Fiber communications)、光儲存(Optical Storage)、手勢辨識(Gesture Recognition)等領域之化合物半導體磊晶片。
    所用之基板材料涵蓋砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等。
    產品範圍包含異質雙極性接電電晶體(HBT)、高電子遷移率電晶體(HEMT、pHEMT、mHEMT)、Fabry-Perot Laser、分布式反饋雷射(DFB Laser)、垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)、光偵測元件(Detectors)、PIN檢光二極體(PIN Diodes)、雪崩光電二極體(APD)、多層介面聚光型太陽能電池(Multi-Junction CPV)、量子井紅外光偵測器(QWIP)等。
    尺寸:2",3" ,4",6",8"

  • 矽晶圓

    品牌: 多家台/日合作廠商,歡迎來電洽詢

    半導體 Czochralski(Cz)method、Magnetic Czochralski method(MCZ)、Floating Zone(FZ)矽晶圓,提供各種等級包含 Prime Grade、Test Grade、Dummy、Mechanical Grade。
    尺寸:2",3" ,4",5",6",8",12"。
    摻雜型態:P-type(Boron)、N-type(Red Phorsphor)、N-type(Antimony)、N-type(Arsenic)。

  • 再生矽晶圓

    品牌: 多家台/日合作廠商,歡迎來電洽詢

    提供報廢矽晶圓再重製研磨拋光服務。
    再重製拋光矽晶圓。

  • 矽晶圓加工薄膜SiO2 或 切割片

    品牌: 多家台/日合作廠商,歡迎來電洽詢

    矽晶圓上覆二氧化矽層。

  • 砷化鎵基板, 磷化銦基板, 鍺基板

    適用於主光電及高頻應用的高性能半導體基板,包括:
    砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、鍺(Ge)。

    所有文章
    ×