化合物半導體磊晶片
品牌: IQE
提供應用於無線微波通訊（Wireless RF）、電力電子（Power Electronics）、手機及基地台的功率放大器（Power Amplifier, PA）、電信數據通訊（tele-communication & data-communication）、光纖通訊（Optical-Fiber communications）、光儲存（Optical Storage）、手勢辨識（Gesture Recognition）等領域之化合物半導體磊晶片。
所用之基板材料涵蓋砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、銻化鎵（GaSb）、氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等。
產品範圍包含異質雙極性接電電晶體（HBT）、高電子遷移率電晶體（HEMT、pHEMT、mHEMT）、Fabry-Perot Laser、分布式反饋雷射（DFB Laser）、垂直共振腔面射型雷射（VCSEL）、光偵測元件（Detectors）、PIN檢光二極體（PIN Diodes）、雪崩光電二極體（APD）、多層介面聚光型太陽能電池（Multi-Junction CPV）、量子井紅外光偵測器（QWIP）等。
尺寸：2"，3" ，4"，6"，8"矽晶圓
品牌: 多家台/日合作廠商，歡迎來電洽詢
半導體 Czochralski（Cz）method、Magnetic Czochralski method（MCZ）、Floating Zone（FZ）矽晶圓，提供各種等級包含 Prime Grade、Test Grade、Dummy、Mechanical Grade。
尺寸：2"，3" ，4"，5"，6"，8"，12"。
摻雜型態：P-type（Boron）、N-type（Red Phorsphor）、N-type（Antimony）、N-type（Arsenic）。再生矽晶圓
品牌: 多家台/日合作廠商，歡迎來電洽詢
提供報廢矽晶圓再重製研磨拋光服務。
再重製拋光矽晶圓。矽晶圓加工薄膜SiO2 或 切割片
品牌: 多家台/日合作廠商，歡迎來電洽詢
矽晶圓上覆二氧化矽層。
砷化鎵基板, 磷化銦基板, 鍺基板
適用於主光電及高頻應用的高性能半導體基板，包括：
砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、鍺（Ge）。
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