半導體材料

高純度半導體擴散製程材料、太陽能電池化學材料、光纖化學材料
POCl₃ 氧氯化磷。BBr₃ 三溴化硼
用途：擴散、摻雜、用在矽晶片的 N 型摻雜、半導體製程、太陽能電池、光纖預製棒、分離器件等的液態源。

全自動氧氯化磷（POCl₃）中央供應系統（PVRefill System）。

主要特點為 :

1、中央供應輸送POCl₃液體材料至擴散機台爐管玻璃瓶。

持續維持瓶內中高液位使擴散製程氣體流量更穩定。

2、減少停機更換玻璃瓶的時間。可增加晶片產出量，

且降低工安風險。

3、零殘料，節省殘料成本。

矽晶棒拉晶製程中P型、N型摻雜固態金屬原料
P型：超高純度硼 （Boron）。
N型：紅磷 （Red Phosphor）、砷（As）、銻（Sb）。
提供各種尺寸的不規則塊狀（chunk）、粉末（Powder）、顆粒（Shot）。

提供塗佈式玻璃 SOG（Spin-on-Glass）／SOD（Spin-on-Dopant）液體溶液。利用旋轉、噴塗或浸塗法於基板上形成固體薄膜介質層（thin film dielectric layer）。
客製配方，根據不同的製程需求提供多樣不同的Spin-on Dopant（SOD）摻雜選擇。
應用在微晶片、太陽能、光電子、半導體封裝、微機電（MEMS）等。
如：Ga₂O₃ MOSFET、Diode、Trench Fill、Smoothing & Masking、Wafer Bonding、BCP/IBC（interdigitated back contact）Solar Cell及其他產品應用。

高純度蒸鍍用金屬（metal for filament & e-beam evaporator）／稀土金屬（rare earth Metals）。
依製程需求提供多樣的元素、合金、化合物，包括鈦（Ti）、鋁（Al）、鎳（Ni）、磷化鋅（Zn₃P₂）、砷化鋅（Zn₃As₂）以及稀土金屬材料鈧（Sc）、釔（Y）和鑭（La）系元素等。
各式金屬、金屬化合物及合金，小包裝以滿足客戶之需求。
根據不同的製程需求提供多樣的金屬、化合物選擇。

PFL生產的鋼瓶（Cylinder、Bubbler）通過業界高安規之DOT認證。採用SS316不鏽鋼材質為主。可因應客戶需求製作從50mL~60L各種容量的製品。與各大閥件商合作可提供客戶需求的閥件。亦可選配含液位偵測與測溫功能之產品。主要用於裝填先驅化學品（Precursor）及特殊有機金屬（Metal-Organic Source），應用於有機金屬化學氣相沈積（MOCVD）、化學氣相沈積（CVD）、原子層沈積（ALD）等半導體薄膜製程。