

- 半導體材料
氧氯化磷 POCl3
品牌: YAMANAKA
高純度半導體擴散製程材料、太陽能電池化學材料、光纖化學材料
POCl3 氧氯化磷。BBr3 三溴化硼
用途:擴散、摻雜、用在矽晶片的 N 型摻雜、半導體製程、太陽能電池、光纖預製棒、分離器件等的液態源。氧氯化磷自動供應系統
品牌: YAMANAKA
全自動氧氯化磷(POCl3)中央供應系統(PVRefill System)。
主要特點為 :
1、中央供應輸送POCl3液體材料至擴散機台爐管玻璃瓶。持續維持瓶內中高液位使擴散製程氣體流量更穩定。
2、減少停機更換玻璃瓶的時間。可增加晶片產出量,且降低工安風險。
3、零殘料,節省殘料成本。金屬 - 晶圓摻雜
品牌: YAMANAKA
矽晶棒拉晶製程中P型、N型摻雜固態金屬原料
P型:超高純度硼 (Boron)。
N型:紅磷 (Red Phosphor)、砷(As)、銻(Sb)。
提供各種尺寸的不規則塊狀(chunk)、粉末(Powder)、顆粒(Shot)。塗佈式玻璃SOG
品牌: DESERT SILICON
提供塗佈式玻璃 SOG(Spin-on-Glass)/SOD(Spin-on-Dopant)液體溶液。利用旋轉、噴塗或浸塗法於基板上形成固體薄膜介質層(thin film dielectric layer)。
客製配方,根據不同的製程需求提供多樣不同的Spin-on Dopant(SOD)摻雜選擇。
應用在微晶片、太陽能、光電子、半導體封裝、微機電(MEMS)等。
如:Ga2O3 MOSFET、Diode、Trench Fill、Smoothing & Masking、Wafer Bonding、BCP/IBC(interdigitated back contact)Solar Cell及其他產品應用。•SOG溶液透過旋塗、噴塗或浸塗等方式塗布在基板表面,經固化烘烤後會在表面沉積一層玻璃薄膜(非晶相的金屬氧化物層)\介電薄膜(ThinFilm Dielectric Layer)。
•SOG的成份可依需求客製,常見為SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO甚至多種成份混成
•SOG廣泛適用於不同的製程需求中,包含:
•SOG的新穎應用:請看這裡
金屬 - 製程用
品牌: YAMANAKA & MITSUWA
高純度蒸鍍用金屬(metal for filament & e-beam evaporator)/稀土金屬(rare earth Metals)。
依製程需求提供多樣的元素、合金、化合物,包括鈦(Ti)、鋁(Al)、鎳(Ni)、磷化鋅(Zn3P2)、砷化鋅(Zn3As2)以及稀土金屬材料鈧(Sc)、釔(Y)和鑭(La)系元素等。
各式金屬、金屬化合物及合金,小包裝以滿足客戶之需求。
根據不同的製程需求提供多樣的金屬、化合物選擇。SS316 不鏽鋼瓶
品牌: PFL
PFL生產的鋼瓶(Cylinder、Bubbler)通過業界高安規之DOT認證。採用SS316不鏽鋼材質為主。可因應客戶需求製作從50mL~60L各種容量的製品。與各大閥件商合作可提供客戶需求的閥件。亦可選配含液位偵測與測溫功能之產品。主要用於裝填先驅化學品(Precursor)及特殊有機金屬(Metal-Organic Source),應用於有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)、化學氣相沈積(CVD)、原子層沈積(ALD)等半導體薄膜製程。
有機金屬前驅物及原子層沉積前驅物
本公司供應多種用於氣相沉積技術(CVD)的高純度化學品,
包括有機金屬前驅物(MO Source)與 原子層沉積(ALD )前驅物,廣泛應用於半導體與先進製程中。
我們與具備專業技術的合作廠商,確保標準產品涵蓋多種元素的化合物,產品分類如下:
● MO Source(有機金屬前驅物)- 適用於MOCVD / MBE 製程:
用於 III-V(族)化合物半導體磊晶製程,例如 GaAs、InP、GaN 等。
應用領域包括:
◆ LED, MicroLED,
◆ 第三代半導體
供應產品如下:
• TMGa (Trimethylgallium)
• TEGa (Triethylgallium)
• TMAl (Trimethylaluminium)
• TMIn (Trimethylindium)
• CP2Mg (Bis(cyclopentadienyl)magnesium) — 用於 p型摻雜
• DEZn (Diethylzinc) — 用於 n型摻雜
● ALD前驅物(Atomic Layer Deposition Precursors):
應用領域包括:
◆ 高介電閘極材料(High-k Gate Oxides):如 Al₂O₃, ZrO₂, HfO₂
◆ MEMS 鍍膜製程
◆ 電容堆疊結構、蝕刻阻擋層、保護層與封裝層製程。
◆ 二維材料2D material-- (Transition Metal Dichalcogenides, TMD)
◆ 矽穿孔TSV (Through-Silicon Via)
常用的標準產品包括:
• TMAl (Trimethylaluminium),
• TDMAHf (Tetrakis(dimethylamido)hafnium)
• TDMAZr (Tetrakis(dimethylamido)zirconium)
• TDMASn (Tetrakis(dimethylamido)tin)
• TEMAHf (Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium)
• TEMAZr (Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium)
• TEB (Triethylboron)
此外, 我們亦可供應其他特殊金屬元素, 如下表中反藍元素; 包括: Mo, W, Cu, Se, S, Y, Ru, Sn, Sb, Nb 之化合物與利基型 ALD 前驅物。
● 客製化
可依據客戶需求提供客製化合成與開發服務,歡迎洽詢標準產品及其他未列產品開發服務項目。
● 請點選表的元素,查看供應之前驅物
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