Agnitron 標準及客製化MOCVD系統
性價比最高的研發用MOCVD設備
- 成長氧化鎵β-Ga2O3(GaO)晶體的最佳設備
- 可快速切換氧化物與氮化物的磊晶
- 反應腔可提供最高1700℃與1500RPM的長晶條件
- 可支援2維材料的磊晶與高品質GaN /AlN磊晶
- Agilis Series包括：Agilis mini, Agilis-100, Agilis-500 and Agilis-700
高均勻性與高可靠度量產型MOCVD設備
- 獨家開發Rotating Disc Reactor (RDR) 垂直反應腔體長保晶圓載體附近區域無沉積
- 行業標準自動化機械臂在高真空環境中進行傳輸
- AI Data Center 用光通訊磊晶(InP)的量產設備已被一線大廠採用
- 量產型設備包括：A305, A455 and GOX300
Imperium-MOCVD自動化控制軟體
Agnitron獨有先進且人性化的人機介面
可無縫轉移老舊機台既有的生長參數
基於 Windows 10 OS系統的現代 SCADA 軟體允許使用者自主配置硬體配件，編輯互控鎖，警報
Imperium-MOCVD自動化控制軟體
Agnitron獨有先進且人性化的人機介面
可無縫轉移老舊機台既有的生長參數
基於 Windows 10 OS系統的現代 SCADA 軟體允許使用者自主配置硬體配件，編輯互控鎖，警報
類比與數位元件兼容的新型PLC
解決Emcore, Veeco, Thomas Swan and Aixtron等舊設備的所有問題
透過適當的升級舊設備中老化或過時的元件，可充分延長這些系統的使用壽命
Agnitron 提供的所有零件和服務均經過專業工程團隊的認證和鑒定。
Agnitron 只提供相當於原廠規格的高品質零件。
多波段溫度和反射率的即時監控系統(In-situ monitoringmodule)
性價比最高的研發用MOCVD設備
A300與 GOX300系統
•符合量產需求，可承載5x 4 “(21 x 2”)晶圓的反應腔，晶圓尺寸和配置可根據客戶要求而變化。
•業界標準全自動化機械臂在高真空環境中進行傳輸。
•A300/400系統可成長GaAs和InP磊晶；GOX300 系統可成長ß-Ga2O3 磊晶。
•獨道設計的RDR垂直反應腔體，其獨特流體力學設計抑制了流場的再迴圈，確保晶圓載體的敏感區域無沉積。
•沉積厚度的均勻性與可再現性符合業界最高標準。
•A300系統已被世界各地成長AlGaAs和InGaAlP晶體的單位所採用，世界一線光通訊大廠亦採用A300系統。Agniton MOCVD Agilis A100
Agniton MOCVD A300
